ARTICLE DETAIL

资讯详情

深耕郑州网站建设与运营推广的一线实战洞察。

学Simulink——电机驱动系统 EMC/EMI 传导发射(CE)等效建模与仿真

学Simulink——电机驱动系统 EMC/EMI 传导发射(CE)等效建模与仿真 目录手把手教你学Simulink——电机驱动系统 EMC/EMI 传导发射(CE)等效建模与仿真一、研发目标与测试口径1.1 目标1.2 标准与布置(按产品选,不混用)二、传导EMI等效模型架构2.1 总链路2.2 关键寄生参数初值(教学/预筛,样机用阻抗分析仪回填)三、Simulink/Simscape建模3.1 求解器与步长3.2 非理想开关3.3 逆变与母线3.4 电缆与电机高频3.5 LISN与测量3.6 共模/差模分离四、接收机与频谱处理4.1 工程近似流程五、EMI滤波器建模与插入损耗5.1 输入EMI滤波器5.2 输出侧处理(长线/SiC用)5.3 调制与管理策略六、仿真工况与判定6.1 工况6.2 判定指标(预合规)七、Simulink实现检查单八、工程注意手把手教你学Simulink——电机驱动系统 EMC/EMI 传导发射(CE)等效建模与仿真面向研发预合规:把“PWM开关源—寄生参数—共模/差模路径—LISN—接收机检波”建成可仿真模型,用于在设计阶段预判150 kHz~30 MHz传导超标点、评估EMI滤波器与调制策略。默认以三相变频/伺服为对象;汽车电驱可把频段扩到CISPR 25、用多导体电缆模型替换PI段。一、研发目标与测试口径1.1 目标项目设计指标验证方式仿真频段150 kHz~30 MHz(汽车可9 kHz~108 MHz)FFT/接收机模型噪声分解共模CM、差模DM独立输出分离器+等效电路开关建模IGBT/ SiC MOSFET非理想边沿上升/下降时间可配主要路径直流侧/交流输入侧LISN、输出共模经电缆-电机对地时域+频域滤波器输入CM choke+Y、DM X+DM电感;可选输出共模/ dv/dt插入损耗对比标准对照限值表可配(不内置强制合规结论)QP/AV频谱叠加限值1.2 标准与布置(按产品选,不混用)工业变频/伺服电源端:EN 61800-3引用传导发射,LISN按CISPR 16-1-2,150 kHz~30 MHz,通常参照CISPR/EN 55011 A类;专业安装C2/C3类按安装条件再分。IT/家电/控制设备:CISPR/EN 55032、55014,B类更严。汽车电驱:CISPR 25,电池高压端用人工网络/电流探头,电机负载按厂标工况,可扩展到百MHz。接收机:CISPR 16带宽/检波;150k~30M常用准峰值QP与平均值AV,工程仿真可用分段RBW+加权近似,不宣称完全替代实验室。预合规模型输出“相对量级+超标频点+滤波器趋势”;送测仍以半电波/屏蔽室+LISN+校准接收机为准。二、传导EMI等效模型架构2.1 总链路[控制/PWM] │ 门极信号(含死区、上升下降时间、栅阻) ▼ [非理想逆变桥] 寄生:桥臂杂散L、开关管Coss/Ciss、铜排对地C │ ▼ [DC-link] 母线杂散L、ESR/ESL、支撑电容Cbus,+/-对地寄生C │ ├─输入侧→[整流/电网/LISN]→传导DM/CM电压(电源端CE) │ └─输出侧→[三相电缆PI/MTL]→[电机高频等效]→绕组对壳C、中性点对壳C │ └─共模回流:机壳/散热器/PE/地线/DClink负极共模源:PWM相电压相对机壳跳变,dv/dt通过逆变铜排对地、散热器、电缆对地、电机绕组对壳寄生电容产生共模电流。差模源:开关电流di/dt、母线纹波、整流二极管恢复、DC-link与输入滤波相互作用,主要在150k~1M较突出,也会叠加开关倍频。2.2 关键寄生参数初值(教学/预筛,样机用阻抗分析仪回填)参数符号初值
返回列表