国内CMOS图像传感器（CIS）产业正在经历一个微妙而深刻的转折。过去几年，本土CIS设计公司在市场份额上的快速攀升有目共睹，但一个更加根本性的变化正在制造端悄然发生：国内晶圆厂在CIS特色工艺上的积累，已经足以支撑起从“能做”到“做好”的跨越。当FAB的工艺能力不再是瓶颈，竞争的焦点便无可避免地转向更底层的维度——谁的器件结构更精巧，谁的工艺整合更成熟，谁能在更小的像素尺寸下守住成像质量的红线。这一判断并非空穴来风。以武汉新芯（XMC）为代表的国内特色工艺晶圆厂，其CIS工艺平台已覆盖0.7微米及以上像素工艺，背照式（BSI）和键合工艺经过多年稳定量产，量子效率、动态范围、暗电流等关键指标达到国际先进水平，面向消费、工业、医疗、汽车等全场景应用。这意味着国内CIS设计公司在本土代工端已经能够获得对标国际一流水平的工艺服务，产业竞争的底层逻辑随之切换。像素微缩的“物理墙”与VPS的技术路线像素尺寸的持续缩小是CIS行业过去二十年的主旋律，但这条路径正在逼近物理极限。当像素尺寸进入亚微米乃至0.6微米区间，光电二极管能够捕获的光子数量急剧减少，满阱容量（FWC）成为核心瓶颈，信噪比、动态范围、暗光性能随之恶化。传统平面式CIS通过前照式（FSI）到背照式（BSI）的演进，以及堆栈式（Stacked）结构的引入，已经尽可能缓解了光线入射路径上的损耗和电路层对感光面积的挤占。但进一步微缩需要更激进的架构创新，垂直电荷转移成像器件（VPS）被视为重要的技术方向。其核心思路是将像素内的多个功能模块——光电转换、电荷存储、电荷转移与读取——在垂直方向上堆叠，在保持像素尺寸微缩的同时释放更多的表面积给感光区域，从而提升感光面积和信噪比。这一技术路线的工艺挑战同样陡峭。