EVERSPIN替代方案｜NETSOL STT-MRAM并行接口外设

一、EVERSPIN替代方案基础参数英尚推荐的S3R3216R1M是NETSOL核心替代型号采用成熟STT-MRAM自旋转移扭矩磁阻存储技术存储密度达32M bit位宽为2Mx16适配多数工业嵌入式设备的存储需求。EVERSPIN替代NETSOL STT-MRAM产品采用1.71~1.98V低压供电设计标准存取时间70ns兼顾高速读写与低功耗特性。EVERSPIN替代芯片NETSOL STT-MRAM采用工业通用48FBGA封装尺寸仅6mm×8mm体积小巧适配性强可直接对标替换同规格EVERSPIN存储芯片无需大幅改动设备PCB布局。二、EVERSPIN替代方案并行接口架构这款NETSOL MRAM芯片搭载并行异步接口支持x16输入输出模式可通过高低位数据字节精准控制传输同时内置异步页面模式功能页面大小为4个字大幅提升批量数据读写效率。EVERSPIN替代方案实测工况下页间读写速度分别为70ns、240ns页内读写速度可达15ns高速响应性能优于同级别EVERSPIN产品可满足工业数据记录、代码存储、设备备份内存、运行内存等高频使用场景。三、EVERSPIN替代方案工业级可靠性能作为优质的EVERSPIN替代产品NETSOL STT-MRAM具备极强的环境适配能力支持-40℃至85℃超宽工业温域稳定工作。NETSOL STT-MRAM产品无需外接ECC纠错模块即可保障数据完整性读取周期无限制写入耐久次数可达10¹⁴次85℃高温环境下数据可完整保存20年。EVERSPIN替代NETSOL STT-MRAM功耗表现十分优异1.8V低压工况下读写电流分别为15mA、10mA待机电流仅600uA全方位降低设备能耗符合工业设备长效低耗运行需求且整体符合RoHS环保标准。