
OM6625A射频电路硬件设计主要介绍了OM6625A芯片在硬件电路设计时的具体规范、注意事项和Layout布局布线要求帮助硬件工程师使用OM6625A时保证射频性能和产品稳定性。一、晶振需求32MHz 晶体OM6625A 片内集成了负载电容(可调范围0~24pF初始化前芯片默认是12pFSDK 默认配置是 13.6pF)一个 step 0.38pF 左右外部的负载电容可不焊接预留电容位置具体选择与调试要求如下二、电源滤波电路OM6625A 芯片供电电压为 1.71V~3.6V 电压需要经过滤波电路得到干净的电源VCC芯片外部供电脚需要加 0.1uF 和 1uF 的去耦电容PCB 设计时电容尽量靠近芯片的 VCC Pin 脚放置。OM6625A 内部 LDODVDD Pin需要加上 0.1uF 和 1uF 去耦电容PCB 设计时这些尽量靠近芯片的 DVDD Pin 脚放置。OM6625A 的 VDD1P2 引脚为内部供电引脚需要外接 0.1uF 与 10uF 的去耦电容。三、电源电压检测OM6625A 系列芯片自带电压检测功能如果电池的最大供电电压不超过 3.6V那么芯片自身就可以读取电池的当前的电压无需外加电压检测电路。如果供电电池的最大电压超出了 3.6V那么要想通过芯片检测电池的电量可以设计一外部分压电路通过具有 ADC 功能的 IO 接口实现电池电量的检测。四、天线匹配线路RF 天线匹配电路设计针对板载式、贴装式等类型的天线建议 IC 按照 T 型网络进行匹配天线按照Π型网络进行匹配如图所示。而针对外接式(如 FPC)、外置式(如棒状天线) 等类型天线只需预留 T 型网络即可如图所示。注意图中匹配值仅为参考值RF 天线匹配电路中匹配值需要根据实际应用环境进行调节。五、OM6625A 芯片 LayoutOM6625A 为 QFN 封装的芯片其芯片 EPAD原理图 Pin0必须接地PCB 做库的时 候在芯片中心需加接地的 EPAD为保证与 PCB 底层 bottom 的地平面完整接地EPAD 中心 至少需要 5 个 GND 过孔而且手工焊接时需预先在 EPAD 上加锡处理。 OM6625A 芯片下面 对应的 bottom 层尽量不要有走线和元器件特别是靠近射频匹配电路和晶体电路的部分 完整的地平面能保证良好的芯片性能。6、其他1磁性器件要远离天线和晶振避免造成干扰。2为了保证芯片良好的接地对于芯片中间的 EPAD应保证 EPAD 下方有完整的地 平面且需要在 EPAD 上打尽可能多的 GND 过孔。3除 EPAD 之外的 GND PAD特别是电容需要保证就近至少有一个 GND 过孔。