
2026年随着 AI 技术在电动汽车中的深度渗透如智能充电、能量管理、自动驾驶辅助配件系统对功率 MOSFET 提出更高要求高频化、低损耗、高可靠性。微碧半导体VBsemi基于 SGT 及 Trench 工艺为您提供覆盖主功率转换、高侧驱动、控制辅助的完整 AI 电动汽车配件功率解决方案。⚡ AI 电动汽车配件专属三核功率组合型号封装电压/电流导通电阻在 AI 电动汽车配件中的角色VBGQF1101NDFN8(3x3)100V / 50A10.5mΩ 10V主功率转换车载充电器/DC-DCVBQF2309DFN8(3x3)-30V / -45A11mΩ 10V高侧驱动/互补开关VBQF2120DFN8(3x3)-12V / -25A15mΩ 4.5V控制板电源管理/逻辑电平驱动 VBGQF1101N · 主功率转换核心 SGT 工艺封装DFN8(3x3) (单N沟道)VDS / ID100V / 50A (Tc25°C)RDS(on) 10V10.5mΩ (典型)栅极电荷 Qg低至 18nC (典型) AI 电动汽车配件中的关键作用用于车载充电器(OBC)或高压DC-DC转换器100V电压耐受匹配48V/400V系统SGT技术提供超低FOM值支持高频开关100kHz以上配合AI算法实现智能充电效率提升15%同时降低热损耗30%。⚡ VBQF2309 · 高侧驱动引擎 Trench 工艺封装DFN8(3x3) (单P沟道)VDS / ID-30V / -45A (Tc25°C)RDS(on) 10V11mΩ (max)开关速度快速开关td(on)/td(off) 20ns AI 电动汽车配件中的关键作用用于高侧驱动或互补对称电路如电机驱动H桥-30V电压适合12V/24V系统45A大电流能力支持瞬时负载低导通电阻减少传导损耗配合AI控制实现精准PWM调制提升系统效率达95%。 VBQF2120 · 智能控制单元 Trench 低Vth封装DFN8(3x3) (单P沟道)VDS / ID-12V / -25A (Tc25°C)RDS(on) 4.5V15mΩ (max)Vth 范围-0.8V (逻辑电平驱动) AI 电动汽车配件中的关键作用负责控制板电源管理、传感器供电、负载开关等。-0.8V阈值可直接由3.3V/5V MCU驱动无需电平转换简化电路DFN小封装节省60%空间让AI控制板集成更多边缘计算单元支持自动驾驶辅助系统实时响应。 AI 电动汽车配件功率链示意图电池包 ➔ DC-DC (VBGQF1101N) ➔ 电机驱动 (VBQF2309×4) ➔ 辅助负载车载充电器 (VBGQF1101N) ⬆️⬇️ 电网AI 控制板 (VBQF2120 供电/开关) 推荐选型配置 (基于应用场景)应用场景主功率转换高侧驱动控制辅助车载充电器 (3.3 kW)VBGQF1101N × 4VBQF2309 × 2VBQF2120 × 3DC-DC转换器 (1.5 kW)VBGQF1101N × 2VBQF2309 × 1VBQF2120 × 2BMS/控制板—VBQF2309 × 1 (可选)VBQF2120 × 4 为什么这套方案匹配 AI 电动汽车趋势✅高频化— SGT/Trench 工艺支持 100kHz 以上开关频率满足 AI 快速响应需求✅低损耗— 总损耗降低 25% 以上提升整车能效延长续航✅高集成度— DFN 小封装释放 PCB 空间为 AI 边缘计算单元让位✅高可靠性— 100% 雪崩测试满足汽车严苛工况-40°C 至 150°C