在嵌入式系统中静态随机存取存储器SRAM只要电源供应不断数据便能稳定保存无需像DRAM那样定期刷新因而读写速度更快、控制逻辑更简单。不过SRAM存储芯片的单颗容量通常有限且成本较高在实际项目中往往需要将多颗芯片组合以满足系统对大容量缓存的需求。为此RAMSUN定制开发多个SRAM存储芯片低引脚数扩容方案致力于以低引脚数、低功耗和高性价比为系统扩容提供了轻量化的选择。串行SRAM存储芯片采用SPI等串行接口仅需少数几根信号线即可完成与主控的通信大幅减少引脚占用。相比于并行SRAM串行器件功耗更低、封装更小特别适合空间受限、对低功耗有严格要求的场景如便携医疗设备、工业传感器和物联网终端。虽然串行SRAM存储芯片在整体市场中曾属小众但其在“小容量高速缓存”这一细分需求上正逐步成为并行方案的兼容替代方案。以国产型号EMI7002WTMI为例SRAM存储芯片提供2Mb存储容量工作电压范围2.7~3.6V采用紧凑的TSSOP-8封装。SRAM存储芯片SPI总线接口兼容标准SPI、双路SDI及四路SQI模式各模式时钟频率均可达20MHz兼顾了传输效率与引脚经济性。SRAM存储芯片基于低功耗CMOS工艺支持无限次读写循环并提供了字节模式和顺序模式两种操作方式便于灵活适配不同数据吞吐逻辑。温度范围覆盖-40℃至85℃满足工业级应用要求同时符合RoHS环保标准。