一个优秀的LDO通常具备low dropout高负载能力低静态电流小过冲和PSR性能优秀这些特点。由于功率管的宽长比极大所以其栅端的寄生电容很大。这会使得EA的输出成为主极点并且该点频率非常低拉低我们的带宽。以下为常见的buffer LDO结构1.SF Buffer LDO这样的buffer结构可以降低N1处的寄生电容大小和降低N2处的输出阻抗大小但是该结构的LDO通常功耗较大一般不适合低功耗应用2.在此基础改进的SSF Buffer LDOQ20也可以换成一个NMOS效果相同输出阻抗通过SSF结构被降低了1β倍3.动态偏置Buffer结论为负载电流越大gm21随之增大rob下降提升了栅极驱动能力当空载到满载Vout会突然下降N1下降通过EA来分析IM21会升高给Q20的基极进行充电所以I20会上升从而迅速拉低N2处的电压那输出端电压不是正反馈了吗这里不是很理解4.总体的框图