适配段位：2–5年 | 独立负责模块研发/工艺 | 可独立攻坚问题 | 可输出标准与量化成果 | 介于初级执行组长带队之间1. 底层理论与专业储备具备系统的半导体黄光工艺与涂胶显影设备底层理论体系，精通8/12英寸晶圆光刻全流程机理，熟练掌握光刻胶感光、溶剂挥发、热固化、显影化学反应、图形成型与缺陷生成核心原理。深度理解Track设备膜厚均匀性、CDU线宽均匀性、Overlay套刻精度、温场一致性、流体喷淋稳定性、传输对位精度的底层影响因子。熟练区分正胶/负胶、厚胶/薄胶、通用光刻胶与特种光刻胶的工艺适配逻辑，掌握不同基底、不同制程、不同曝光工艺对应的涂胶显影工艺窗口差异。具备成熟的良率、缺陷、工艺偏差根因分析理论基础，能够从机理层面定位工艺异常与设备短板，支撑技术优化与方案迭代。2. 实操技术栈与工具掌握能力熟练独立负责Track核心模块（涂胶/显影/热板/传输温控/液路供胶）整机调试、参数迭代与工艺开发，可独立完成整机Recipe搭建、参数区间标定、工艺窗口验证与稳定性复测。熟练使用膜厚仪、CD量测机、金相显微镜、缺陷检测设备、颗粒分析仪完成全维度量测与数
适配段位：2–5年 | 独立负责模块研发/工艺 | 可独立攻坚问题 | 可输出标准与量化成果 | 介于初级执行组长带队之间1. 底层理论与专业储备具备系统的半导体黄光工艺与涂胶显影设备底层理论体系，精通8/12英寸晶圆光刻全流程机理，熟练掌握光刻胶感光、溶剂挥发、热固化、显影化学反应、图形成型与缺陷生成核心原理。深度理解Track设备膜厚均匀性、CDU线宽均匀性、Overlay套刻精度、温场一致性、流体喷淋稳定性、传输对位精度的底层影响因子。熟练区分正胶/负胶、厚胶/薄胶、通用光刻胶与特种光刻胶的工艺适配逻辑，掌握不同基底、不同制程、不同曝光工艺对应的涂胶显影工艺窗口差异。具备成熟的良率、缺陷、工艺偏差根因分析理论基础，能够从机理层面定位工艺异常与设备短板，支撑技术优化与方案迭代。2. 实操技术栈与工具掌握能力熟练独立负责Track核心模块（涂胶/显影/热板/传输温控/液路供胶）整机调试、参数迭代与工艺开发，可独立完成整机Recipe搭建、参数区间标定、工艺窗口验证与稳定性复测。熟练使用膜厚仪、CD量测机、金相显微镜、缺陷检测设备、颗粒分析仪完成全维度量测与数
