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编号类型领域参数名称参数所属于的数学方程式参数约束数学方程式参数数值（示例/参考）关联参数列表及集合关联知识数学分析与数学推理385材料/电学电学（可靠性）偏置温度不稳定性（BTI）中阈值电压漂移的恢复（Recovery）比例 (Rrec)在去除应力后，部分被俘获的电荷被释放，V_th 部分恢复。恢复比例 R_rec = (ΔV_th,stress - ΔV_th,recovery) / ΔV_th,stress。R_rec 是时间和温度的函数。受俘获电荷能级分布、界面质量、温度约束。R_rec 影响 BTI 的测量方法和寿命预测。对于先进 HKMG pMOSFET，在室温下，去除应力后 1 秒内，R_rec 可达 30-60%。应力时间(t_stress)、恢复时间(t_rec)、温度 【信息科学与工程学】计算机科学与自动化——第十篇 芯片设计31 芯片中的参数02
编号类型领域参数名称参数所属于的数学方程式参数约束数学方程式参数数值（示例/参考）关联参数列表及集合关联知识数学分析与数学推理385材料/电学电学（可靠性）偏置温度不稳定性（BTI）中阈值电压漂移的恢复（Recovery）比例 (Rrec)在去除应力后，部分被俘获的电荷被释放，V_th 部分恢复。恢复比例 R_rec = (ΔV_th,stress - ΔV_th,recovery) / ΔV_th,stress。R_rec 是时间和温度的函数。受俘获电荷能级分布、界面质量、温度约束。R_rec 影响 BTI 的测量方法和寿命预测。对于先进 HKMG pMOSFET，在室温下，去除应力后 1 秒内，R_rec 可达 30-60%。应力时间(t_stress)、恢复时间(t_rec)、温度